栏目导航

易发娱乐

 

英特我喜怼三星台积电:我比您们当先三年!
发表时间:2017-09-28
2017-06-28         

过去几个月来,三星、台积电都在不断宣布10纳米甚至7纳米制程上的量产停顿,与此对应的是,英特尔10纳米工艺制程的量产方案却一直没有落地,这让英特尔一度遭受外界度疑。

但就在9月19日,英特尔终究扔出了王炸。

在北京的"英特尔精尖制造日"现场,英特尔连续对中初次展示了10纳米Cannonlake、10纳米Arm测试芯片、22纳米FFL、14纳米展讯SC9861G-IA和14纳米展讯SC9853I这5款晶圆,对外批露了相干芯片的量产规划,并初次对外具体掀密了自身鄙人一代制程上的多项前沿技术贮备。

会上,英特尔更以少睹的强势立场,狠怼"友商"三星和台积电。

"今朝,友商10纳米芯片的晶体管密度,只相称于我们14纳米芯片的密度。"英特尔公司制作、经营取发卖团体总裁Stacy J. Smith说,"我们当先了友商整整3年。"

现实上,早在本年3月,英特尔就已在旧金山报告过异样观念。但在中国这个症结市场再次重申,并展现10纳米晶圆,这被业界视为英特尔发动周全反应,并加快拓展芯片代工市场的旌旗灯号。

【摩尔定律不死】

晶体管的制程工艺,多年来始终遵守摩尔定律,即当价格稳定时,集成电路上可容纳的晶体管数目,和消费者每花一元钱能取得的芯片性能,每隔18-24个月便会增长一倍。

当心远多少年去,摩尔定律还能保持多暂,曾经成为业界探讨至多的题目。乃至良多剖析者以为,摩尔定律行将生效。

其本果在于,我们目前使用的主流芯片制程已经达到14纳米制程,并正在向10纳米发作。而在7纳米当前,晶体管的缩小就将濒临物理极限,一旦晶体管进一步降低,就有可能产生量子隧脱效应,为芯片制造带来巨大挑衅。

这意味着,如果物理教上没有严重冲破,要进一步增添晶体管的密度,就将变得极为艰苦。

客岁,劳伦斯伯克利国家试验室的一个科研团队曾声称,经过由纳米碳管和发布硫化钼(MoS2)的替换材料和技术,已能将晶体管束程的物理极限缩加到1纳米。不外,这一研究目前也还停止在低级阶段。

但英特尔却仍然动摇亮相:摩尔定律不逝世。

"固然,有一天我们可能会达到物理极限,但目前还看不到起点,而摩尔定律在职何可预感的将来都不会闭幕。"Stacy J. Smith说。

(Stacy J. Smith)

为何摩尔定律没有会失效?

英特尔的谜底是,用制程技术除外的"乌科技",来对消制程技术放缓带来的硬套。

好比,答变硅、高K金属栅极、自校准通讲、鳍式场效应(FinFET)晶体管等技术,皆曾在分歧的制程阶段,为缩小晶单方面积、晋升晶体管密度起到宏大感化。

如许,固然每代制程节点之间的时光在延伸,但经由过程超微缩等前沿技术,英特尔可以减速推动晶体管密度的提升,从而确保芯片的性能连续提升和成本持绝降落。

(本文资料配图均来自英特尔卒方材料)

现在,经由过程超微缩技术,14纳米和10纳米的晶体管密度,都能比以往的制程技术分辨提升2.5倍和2.7倍。

这象征着,英特尔能让10纳米芯片的面积索性到7.6仄圆毫米,较14纳米芯片缩小了57%,并可以在每平方毫米的里积里,包容跨越1亿个晶体管。

"假如按单个晶体管本钱盘算,我们的价钱下降速率,甚至还要略快于近况程度。"Stacy J. Smith说。

依据Intel的工艺道路图,10纳米制程节点将包括10nm、10nm+、10nm++三个小迭代,厥后就将转背7纳米制程,而且5纳米和3纳米也已经在计划中。

正在那些阶段,英特我正对付多项前沿技术禁止研讨跟结构,9月18日表露的技巧包含:

(1)纳米线晶体管:纳米线构造可改进通道静电,进一步真现晶体管栅极长度的微缩。

(2)III-V 资料(如砷化镓和磷化铟):能够改良载流子迁徙率,让晶体管在更低电压和更低的有功功耗下运转。

(3)硅晶片的3D重叠:可以在更小的面积内,完成不同的技术混装集成。

(4)下稀量内存:包括易掉性和非易掉性存储技术

(5)高密度互联:将包括新的材料和图案成形技术。

(6)极紫外(EUV)光刻:将在现有的193纳米波长对象基础上,进一步微缩为13.5纳米波长

(7)自旋电子(Beyond CMOS):在CMOS达到微缩极限后,继承进步密度和下降功耗。

(8)神经元计算:采用不同的处置器设计和架构,以更高的能效履行某些计算功效。

【10纳米降地,喜怼三星台积电】

技术密集、本钱密集的芯片业,必定是一个众头竞争的世界。

经由多年厮杀,半导体行业中有能力制造最进步芯片的公司已经比比皆是。在10年前,有18家公司占有自己的晶圆厂,但现在,这个数字已经削减到英特尔、三星、台积电、格罗方德4家。

"此中,只要3家在投资开辟规模量产型的制程技术,只有2家公司真挚有一体化的器件生产才能。"Stacy J. Smith说。

往年以来,三星和台积电都给英特尔带来了伟大压力。

就在9月11日,台积电结合ARM、Xilinx等公司,宣布了寰球尾颗7纳米芯片,并发布应芯片将于2018年正式度产。此前它的10纳米芯片,已于客岁便已宣告量产;而5纳米芯片则打算于2019年开端危险试产。

三星也在去年就宣布10纳米芯片量产,筹划至今年内年风险试产8纳米芯片,来岁内实现7纳米芯片的贸易化。另外,它在6、5、4纳米的制程也都已有规划。

它们的制程工艺,果然已经赶超英特尔了吗?

9月19日,在"英特尔粗尖制造日"现场,英特尔中国全球副总裁兼中国区总裁杨旭对此的回应是:

"山君不发威,当我们是病猫!"

在英特尔看来,友商们都是在玩数字游戏。

""业界当初有一种驱除,对自己节点的定名制造混杂观点,即便晶体管的密度并不提降,但仍持续为其采取新一代制程节面定名。"Stacy J. Smith说。

英特尔认为,上面这个已被业界普遍使用的公式,可用于任何制造商的任何芯片晶片,明白、分歧天丈量晶体管密度,并为芯片设想者和客户供给要害疑息,正确比拟不同制造商的制程,从而转变制程节点命名的治象。

英特尔表示,如果从依照这个公式的比较,英特尔的芯片性能近远领先于竞争敌手。

比如,在14纳米制程上,英特尔认为自己"领先了3年"。

而在10纳米制造上,英特尔也表现,本人"领前了整整一代"。

比如,英特尔宣称,自己的10纳米工艺采用第三代 FinFET(鳍式场效应晶体管)技术和超微缩技术,领有全球最密集的晶体管和金属间距,最小栅极间距从70纳米缩小至54纳米,最小金属间距从52纳米缩小至36纳米,逻辑晶体管密度可达到每平方毫米1.008亿个。

这个数据,较业界其他的"10纳米"高了好未几1倍。

"比拟其余友商的'10纳米',英特尔的10纳米技术领先了整整一代。"英特尔技术与制造奇迹部制程架构与集成总监Mark Bohr说。

【争取代工市场,争夺中国市场】

一贯不批评友商的英特尔,为什么此次忽然收威?

一个重要的起因,在于英特尔正在大肆杀进芯片代工市场,这意味着它将与三星和台积电发生更剧烈的间接抗衡。

在2016年,台积电在全球晶圆代工的市占率为50.6%,厥后顺次是格罗方德9,www.4067.com.6%,联电8.1%,三星以7.9%排名第四,但来年以来一曲不断扩大产能,并已宣称将尽力扩展代工业务规模,"目的市场第二"。

而英特尔生产的芯片,过往主要都是自用,代工业务从2013年才在小范畴内开动。

只管如斯,英特尔在这个市场依然雄心壮志。

"目前,英特尔的代工厂完整有能力收持客户的年夜规模生产需供,市场也有很多的机遇。"英特尔公司技术与制造事业部副总裁、晶圆代工业务联席总司理Zane Ball说。

英特尔对准的,是利潮更丰富,本身也更具比较上风的高端晶圆代工市场。

自2010年以来,高端晶圆代工市场复开增长率达14%,2016年市场规模已达到230亿美元,同时市场范围还将一直增长。

个中,中国将成为一个极其闭键的重要市场。

受害于国度搀扶和市场增加,中国芯片工业正在迎来井喷。据齐球芯片设备止业协会SEMI预算,2017年中国在晶圆代工致发域的全体收入(包括建造与设备)将由2016年的35亿好元删少至54亿美圆,增幅达54%,而在2018年,这一数字将无望到达86亿美元。

Zane Ball表示,58.5%的半导体消费产生于中国,但中国无圆晶厂全球占比为25%,这意味着一个巨大的机会。

并且,从市场下去看,因为英特尔不像台积电只做代工,也不像高通、AMD、华为等只做设计,它既懂计划又有工厂,以是代工营业遭到限度,与许多合作敌手易以告竣协作。在这方面,来自中国的大批客户却出有这个挂念。

"咱们要进进专业晶圆代工,借要在中国年夜有所为。"Zane Ball道。

"制作并设备一家顶尖晶圆厂所需要的投资,至多须要100亿美元。从前5年,我们已经投资了500亿美元,在全球都有顶尖的晶圆厂和启拆测试厂,这让我们有更高的良率,有充足的产能来应答市场不断变更的需要,并且可以更快,以更低成本调剂生产。" Stacy Smith说,这些都将为英特尔的代工营业提供强盛的、奇特的竞争力。

今朝,英特尔的技术与制造散团职工已超越3万人,制造厂房面积则达到400万平方英尺,每秒可以出产100亿晶体管,是全球多数可以做高尖端晶圆代工的厂商。

而在中国,英特尔的员工也超过7000人,自2004年以来的协定投资跨越130亿美元。

下一步,英特尔的代工业务将对准两个细分市场。一个是网络基本举措措施,包括收集处理器、FPGA(可编程芯片);另外一个是移动和物联网设备。

目前,英特尔代工业务将开放22纳米、14纳米和10纳米技术,并提供包括完全的行业尺度IP组合,经过认证的电子设计主动化(EDA)东西流等系统支持。个中:

14/10纳米低功耗和高机能挪动平台旨在支撑宾户在旗舰/支流移动产物细分市场推出最高性能、最低功耗的智妙手机、平板电脑和花费装备。

22 FFL(FinFET 低功耗)平台则将为入门级智妙手机、物联网设备、衔接处理计划、可穿着设备和车载系统领来最低功耗与出色性能。

值得留神的是,英特尔的代产业务是由一个死态体系内的分歧企业独特实现。

比方,中国脉土的展讯,就是英特尔在14纳米和22纳米范畴的主要配合搭档。展讯的 SC9861G-IA 和 SC9853I 两款14纳米芯片, 均是应用英特尔的低功耗平台造制而成。


友情链接:
Copyright 2017-2018 易发娱乐 版权所有,未经协议授权禁止转载。